MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223 (TSM1N80CW RPG)
Part Number: TSM1N80CW RPG
Documents / Media: datasheets TSM1N80CW RPG
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 800V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6 Ohm @ 150mA, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
- Vgs (Max): ±30V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 200pF @ 25V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 2.1W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: SOT-223
- Корпус: TO-261-4, TO-261AA
Цена по запросу